Punto de Memoria

El punto de memoria es el soporte físico que permite almacenar un bit de información. Hay varios tipos:

1. RAM: Random Access Memory. Lectura y escritura volátil. Borra y escribe eléctricamente por palabra.
2. ROM: Read Only Memory. Solo lectura. Se escribe mediante máscaras a nivel físico. No borra.
3. PROM: Programmable ROM. Solo lectura. Se escribe eléctricamente. No borra.
4. EEPROM: Erasable PROM. Principalmente de lectura. Se puede borrar el chip entero mediante luz ultravioleta.
5. EEPROM: Electrically Erasable PROM. Principalmente de lectura. Se puede borrar eléctricamente por bloques.
6. Flash: Principalmente de lectura. Se puede borrar eléctricamente por palabras. Ejemplo: USB, MicroSD.

Ram Estática

Las posiciones en la memoria se escriben o leen en cualquier orden (random access). Cada bit en una SRAM se almacena en 4 transistores que forman 1 biestable. Otros 2 transistores más controlan el acceso.

Utiliza 6 MOSFETs para almacenar un bit de información. $WL$ es un bus de control que controla el acceso (y usa los transistores $M_5$ y $M_6$). Los 4 transistores $M_1$-$M_4$ forman un biestable. Es veloz pero también caro, grande, y consume mucha velocidad.

RAM Dinámica

Se desarrolló en IBM y usa solo un condensador y un transistor. Se estructuran los puntos en una matriz. Las columnas se pre-cargan a un voltaje igual a la mitad del voltaje que representa el 1 lógico. Una fila se energiza por medio del decodificador de filas. Esto requiere constantes ciclos de regeneración para mantener esa pre-carga.

Una DRAM es más barata y pequeña que una SRAM, pero también es menos veloz.